Стратегический альянс Intel и Micron объявил о доступности новой технологии объёмной флеш-памяти NAND с плавающим затвором. Согласно официальным сведениям, плотность упаковки данных в новой памяти втрое превышает возможности конкурирующих технологий Samsung и Toshiba. Если верить представителям Intel и Micron, подход альянса к созданию трёхмерной флеш-памяти сильно отличается от существующих типов 3D NAND. Он позволяет создавать чипы MLC ёмкостью 256 Гбит, а для TLC эта цифра, соответственно, возрастает до 384 Гбит. Что это означает с точки зрения рядового потребителя?
А означает новая технология, ни много, ни мало, а возможность создания твердотельных накопителей формата 2,5” ёмкостью 10 терабайт, в то время как сейчас их ёмкость, как правило, не превышает 2 терабайт. Для накопителей форм-фактора M.2 открывается возможность создания SSD ёмкостью 3,5 терабайта, что также непривычно много по современным меркам. В последнем варианте для этого требуется всего 5 корпусов TLC ёмкостью 384 Гбит, каждый из которых содержит 16 кристаллов.
Как мы знаем, надёжность памяти NAND сильно падает с ростом плотности, уменьшением техпроцесса, а особенно в совокупности с использованием трёхбитных ячеек (TLC). Но в данном случае для беспокойства нет особых причин. Хотя Intel никак не комментирует данный вопрос, скорее всего, для производства новой памяти будет использоваться достаточно грубый техпроцесс, примерно эквивалентный классическому 50-нанометровому. А мы знаем, что 50-нанометровая память MLC легко выдерживает 10 тысяч циклов перезаписи. Опытные поставки 256-гигабитных чипов MLC партнёрам Intel уже начаты, а образцы 384-гигабитных микросхем TLC они получат позднее этой весной.
Источник
